Bộ nhớ RAM LPDDR5X mạnh mẽ của Samsung đã bị vượt mặt bởi một đối thủ sừng sỏ của công ty.
Theo SamMobile, vào đầu tuần này, Qualcomm đã tiết lộ chipset điện thoại thông minh hàng đầu của công ty là Snapdragon 8 Gen 3. Được biết, con chip mạnh mẽ này có thể tương thích với hai loại chip bộ nhớ tiên tiến nhất hiện nay là DRAM LPDDR5X và DRAM LPDDR5T.
Đối với LPDDR5X, đây là loại bộ nhớ RAM được sản xuất bởi Samsung, từng được mệnh danh là chip DRAM có tốc độ nhanh nhất thế giới. Nhưng giờ đây, đối thủ SK Hynix của công ty tại quê hương Hàn Quốc đã cho ra lò chip DRAM LPDDR5T, có tốc độ vượt trội hơn cả LPDDR5X của Samsung và hiện đã sẵn sàng cho những chiếc điện thoại thông minh cao cấp thế hệ tiếp theo.
Chip DRAM LPDDR5T đã sẵn sàng đi vào hoạt động cùng Snapdragon 8 Gen 3.
SK Hynix thông báo rằng chip DRAM LPDDR5T của họ đã hoàn tất quá trình xác minh khả năng tương thích với Snapdragon 8 Gen 3. Những chip này từng được công bố vào tháng 1/2023 và hiện đã sẵn sàng cho điện thoại thông minh cao cấp.
DRAM LPDDR5T sẽ khả dụng ở dạng đóng gói 16GB, cung cấp tốc độ dữ liệu tối đa 9,6Gbps, nhanh hơn khoảng 12,5% so với DRAM LPDDR5X (8,5Gbps). SK Hynix cũng tuyên bố rằng các chip nhớ mới của họ có khả năng tiết kiệm năng lượng tốt nhất trong phân khúc, khi hoạt động ở điện áp rất thấp chỉ 1,01-1,12V do JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council - Hội đồng kỹ thuật thiết bị điện tử) quy định.
SK Hynix đã sử dụng quy trình chế tạo HKMG (High K Metal Gate) để cải thiện hiệu suất và hiệu quả của chip RAM LPDDR5T. Những con chip này hoạt động ở điện áp thấp hơn 10% so với LPDDR5X. Công ty hy vọng các chip mới của họ sẽ giành được thị phần đáng kể trước khi ra mắt tiêu chuẩn DRAM LPDDR6 mới.